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EEPW必威精装版app手机 > 网络与存储 > 业界动态必威精装版app手机 > 国产技术进步:长江存储或跳过192层闪存 切入232层

2016年成立的,于2017年通过自主研发和国际合作的方式,设计制造了首款3D NAND闪存。2019年,晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产,2020年,第三代TLC/QLC研发成功,推进到128层3D堆叠。

本文引用地址:http://driyadhasan.com/article/202206/435167.htm

在闪存领域,通常将堆叠层数视作技术先进程度的指标。DT报道称,业内人士给出消息称,计划跳过192层,直接切入232层闪存生产。

必威精装版app手机根据此前韩国研究机构OERI的一份报告,其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年,理由是三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存,长江存储则要到2024年,现在来看,它们低估了长江存储的技术储备。此前传出长江存储有望打入苹果供应链,为iPhone等产品供货闪存的说法,倘若最终实现,那么无疑将有着打破产业格局的动能。



关键词: 长江存储 192层闪存 232层
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